Samsung 8nm RF Çip Teknolojisi İçin Geliştirme Süreci Tamamlandı

Gelişmiş yarı iletken teknolojisinde dünya önderi olan Samsung Electronics, bugün 8 nanometre sürecine dayalı en yeni radyo frekansı (RF) teknolojisini tanıttı. Tanıtılan bu son teknoloji, bilhassa çok kanallı ve çok antenli çip dizaynlarını destekleyen 5G ağlar için tek çipli bir tahlil sağlaması bekleniyor. Samsung’un 8nm RF eserleri, şirketin 5G yarı iletken pazarındaki liderliğini, 6GHz altı uygulamalardan mmWave uygulamalarına genişletmesini sağlaması da öngörüler ortasında.

Samsung’un 8nm RF üretim teknolojisi, 28 nm ve 14 nm tabanlı RF dahil olmak üzere, halihazırda geniş olan RF ile ilgili tahliller portföyüne eklenen en son eser olarak dikkat çekiyor. Şirket, 2017’den bu yana premium akıllı telefonlar için 500 milyondan fazla taşınabilir RF çipinin satışıyla RF pazar liderliğini kurmuştu. Samsung Electronics’te Döküm Teknolojisi Geliştirme Takımı Ustası Hyung Jin Lee, “İnovasyon ve süreç üretimindeki harikalık sayesinde, yeni kuşak kablosuz irtibat tekliflerimizi güçlendirdik” diyor. Ayrıyeten, Samsung’un 8 nm RF teknolojisinin, kompakt taşınabilir aygıtlarda uzun pil ömrü ve eksiksiz sinyal kalitesi arayan müşteriler için mükemmel bir tahlil olacağını da argüman ediyor.

Gelişmiş düğüm teknolojileri ile dijital devreler, performans, güç tüketimi ve alan (PPA) açısından kıymetli ölçüde düzgünleşiyor. Buna bağlı olarak yeni teknoloji, RF çip alanında yüzde 35’lik bir azalma ile güç verimliliğinde yüzde 35’e varan bir artış sağlıyor. Bunun yanı sıra, analog RF blokları, artan direnç üzere dejeneratif parazitler nedeniyle bu türlü bir gelişme görmedi. Samsung, analog RF ölçekleme zorluklarının üstesinden gelmek için daha az güç kullandığı halde RF özelliklerini kıymetli ölçüde iyileştirebilen RFextremeFET (RFeFET) isimli 8nm RF’ye özel bir mimari geliştirdi.

Son olarak, Samsung’un yeni üretim teknolojisi ile parazitleri en aza indirdiğini ve kanal hareketliliğini en üst seviyeye çıkardığını belirtelim.

Kaynak: Technopat